DF4822晶體管特性圖示儀
DF4822晶體管特性圖示儀
● 集電極掃描電壓達到500V，最大電流達2A |
● 具備交替測量顯示，可同時顯示二極管的正、反相特性 |
● 集電極電流范圍：10uA-0.2A/度。 |
● 基極電壓范圍：50mV-0.5V/度。 |
● 集電極電壓范圍：50mV-50V/度。 |
● 階梯電流范圍：5uA-10mA/級。 |
● 階梯電壓范圍：50mV-0.5V/級。 |
● 極性：正，負二檔。 |
● 每族級數：10級/族。 |
DF4822型圖示儀
| 外形尺寸 | 310×138×300mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 價格 | 2200元 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 重量 | 10kg | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 特點 | 該儀器在標準的半導體特性圖示儀基礎上進行了優化設計，具有體積小，性高，使用簡便的特點。具有交替測量顯示功能，可同時顯示二極管的正、反相特性。低售價，性高。 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 主要技術參數 |
|
XJ4832型 數字存儲100A半導體管特性圖示儀
本機是新一代數字化測量儀器。采用新穎電路設計技術，通過微處理器集中控制整個系統的數據采集、顯示、打印、存儲，處理人機交互信息等。具有高集成度、高性。以屏幕顯示測試檔級及用光標測試被測器件的各種直流參數，并可將測試結果存儲、打印、隨時調用。本機具有友好的人機界面，有中、英文兩種語言供選擇。
| 集電極掃描信號 | |
| 輸出電壓范圍及電流最大容量： | 0-10V 100A 0-50V 10A 0-200V 0.25A 0-1000V 0.05A |
| 集電極掃描信號工作方式 | |
| | 自動：0．5S、1S、2S 手動：單次 |
| 功耗限制電阻： | 0-500k Ω，按1、2、5進制共12檔 |
| 基極階梯信號 | |
| 階梯電流(IB)： | 2μA／級-1A／級，按1、2、5進制共18檔 |
| 階梯電壓(VB)： | 50mV／級-2V／級，按1、2、5進制共5檔 |
| 階梯偏置電壓(Δ VB)： | ±10V |
| Y軸偏轉系數 | |
| 集電極電流（IC）：10μA/div-10A/div，按1、2、5進制共19檔 | |
| X軸偏轉系數 | |
| 集電極電壓(VC)：50mV/div-100V/div，按1、2、5進制共11檔 | |
| 基極電壓(VB)： 50mV/div-2V/div，按1、2、5進制共6檔 | |
聯系我們：http://www.1718sh.com 電話：021-51575232 51575252 傳真：021-51575133 地址：上海市中山西路2281號徐匯晶典大廈15樓
CA4810A圖示儀
|
- 用戶使用手冊
- 高壓測試臺（選配）
- 電源線
- 合格證
YB6600半導體特性圖示儀、誼邦電子圖示儀、分立器件圖示儀
一、YB6600誼邦電子半導體特性圖示儀特點
YB-580半導體圖示系統 晶體管圖示儀 分立器件測試儀 IGBT測試儀
產品介紹
YB580 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)測試系統（以下簡稱 YB580 測試系統）符合:國際電工委員會 IEC 60747-9-2001 規范,符合國標 GB/T17007-1997 規范。YB580 測試系統是本公司推出的一種先進的 IGBT 測試系統。適合研究所、生產企業做元器件篩選檢驗，IGBT 生產廠用做生產測試，院校做測試分析。
系統可擴展性強，通過選件可以提高電壓、電流的測試能力,自動快速測試可以滿足用戶大生產需要，故障率低也保證了用戶的生產效率。在 PC 窗口提示下輸入被測器件的測試參數即可完成填表編程，操作人員不需具備專業計算機編程語言知識，使用簡捷方便。系統采用帶有開爾文感應結構的測試插座，自動補償由于系統內部及測試電纜長度引起的任何壓降，保證各種情況下測試結果的準確可靠。系統面板的顯示裝置能夠及時顯示系統的各種工作狀態和測試結果。系統提供與機械手、探針臺、電腦的連接接口，可以支持各種不同輔助設備的相互連接使用。
基本配置
1、主極電壓： 0－－2000V ； 2、電壓分辨率：1mV； 3、主極電流：0－－-50A(100A、200A、400A、
500A、700A、800A、1000A、1300A可選）； 4、電流分辨率：1nA ； 5、精度：0.5%+2LSB ； 6、測試速度：0.5MS/參數；
7、可提供的選件有 3000V 陽極高壓選件。
| 序號 | 測試參數 | 別稱 | 序號 | 測試參數 | 別稱 |
| 1) | 柵極-發射極閾值電壓 | Vgeth | 2) | 集電極-發射極截止電流 | ICES |
| 3) | 集電極－發射極擊穿電壓 | BVCES | 4） | 集電極-發射極飽和電壓 | VCESAT |
| 5） | 柵極-發射極漏電流正向 | IGESF | 6） | 柵極-發射極漏電流反向 | IGESR |
| 7） | 門極開通電壓 | VGEON | 8） | 二極管壓降 | VF |
| 9） | 通態電流 | ICON | 10） | 跨導 | GFS |
| 11） | 導通電阻 | RDSON | 12） | 其他功率器件（MOS,晶體管等）的測試 |
技術要求
工作溫度： 25℃－－40℃
貯存溫度: -15℃－－50℃
工作濕度： 45%－－80%
貯存濕度：10%－－90%
工作電壓：200v－－240v
電源頻率：47HZ－－63HZ
接地要求：供電電源應良好接地。
通信接口：RS232 USB
系統功耗：<150w
設備尺寸：450mm×570mm×280mm
L271546 智能半導體管特性圖示儀
CX2-4832（QT2）晶體管圖示儀，晶體管圖示儀
CX2-4832（QT2）晶體管圖示儀
◆ 集電極電流范圍 : 0.5μA/div~ 1A/div, max10A（5v）◆ 集電極電壓范圍: 10mV/div-50V/div,max 500v◆ 階梯電流范圍:1μA/級~ 200mA/級◆ 集電極輸出電壓、電流 : 5000V（0.1A）10A（5V）
CS3100巖琦晶體管圖示儀
（一）多用途性（Versatility）
現代的測試設備所須的功能，必須能不被限制其最大電流及電壓之供給。目前IGBT的產品其電流可通過1200A及阻斷電壓可高達3300V，但不久之后IGBT的產品即會有達到4500V及2000A的能力。且無人可預測未來其電壓及電流可達到多少，再者，現今IGBT 的測試設備，也須能測試新元件MCTS （ MOS Contrlled Thyristort） 或是IGCT （Integrated Gate-Commutated Thyristor）。
因此，測試設備的評估上，須能適應及符合未來可能的發展，其不論是硬體，如電壓電流產生器或軟體上。
IWATSU公司推出的CS-3000給用戶提出了最佳的解決方案
（二）操作簡單（Ease of Handling）
測試設備除了上述之特色外，應仍保持操作簡單及效率佳的能力。達此目的最佳之方法即是使用者不須具備特殊訓練即可操作此設備。如有使用晶體管特性圖示儀的用戶，操作起來會更加方便。此測試系統亦可經常地改變測試的半導體元件的型式（通常一天數次），對新的半導體元作的型式其可能會須要不同的制具（jig），或是更復雜的驅動閘控制，或是一緩沖器 （Sunbber） 的保護等。因此，使用模組化系 統即可達到上述之需求。在一個基本的測試系統上，加上一些可更換的測試單元，使其可執行不同范圍產品的量測。
（三）安全性（Safety）
IGBT的測試系統因其可提供非常高的電壓輸出，對操作者來講是有一 潛在的危險性，當在操作高電壓及大電流時，操作員的安全性應予以考慮，即該設備須在不同國家的規范中皆可符合其安全標準。
在執行測試時，在危險的區域應使用滑動式門鎖定而予以保護，所有參數皆應設置于安全的工作區域中，所有的保護措施的控制皆應由硬體部份來控制，而不是軟體來控制。很顯然的，在整條生產線上（研發測試時），時間是一個很重要的因素，因此，安全系統必須要很方便，而盡可能地對測試的速度影響愈小愈好。
靜態測試（Static tests）
此測試之目的在提供元件（device）的詳細特性，讓設計者能精確地預測元件在穩態（Steady state）情況時之行為，此可協助使用者選擇最佳的元件來用于他的應用中，更進一步地讓其對與半導體元件相連接的設備如：電壓鉗式單元，閘極驅動，冷卻系統等的設計更為妥切。
（一）集射極崩潰電壓 （Collector Emitter Breakdown Voltage） VCEs 量測于特定的集極電流IC下閘極短路至射極時，跨于集、射極兩端之電壓為VcEs 如圖1, IGBT 的集射極崩潰電壓是會隨著介面（Junction）溫度增加而增加的（典型對600V之IGBT 會有0.7V/℃）
（二）集極至射極的泄漏電流IcEs ［或稱為集極的截止（Cut-off ）電流］
在額定的集射極電壓和閘射極短路下之集極電流為IcEs值（如圖2）, IcEs的量測通常在25℃及最大的工作介面（Junction）溫度，且集極泄漏電流 亦會隨介面溫度升高而增加。因此，在測試期間限制電流流過及避免 thermal升高是很重要的。
（三）集極至射極的飽和電壓 （Collector to emitter saturation voltage） VcEsat VcEsat（圖3）是在特定的集極電流，閘射極電壓及介面溫度時之集射極導通電壓VcEsat是相當重要的特性，因為其會決定導通之損失，在大的 極電流時，測試的脈沖必須非常短，如此不致有過多之損失。
（四）二極體順向電壓（Diode Forward Voltage） VF
VF（圖4）是指IGBT模組中的飛輪二極體（Freewheeling Diode）在特定電流
及介面溫度時之順向導通電壓值。
（五）閘極臨界電壓（Gate threshold Voltage） VGeth VGeth（圖5）是指在特定集極電流及閘極短路至集極時之射極的電壓值。 當閘射極電壓小于臨界值時IGBT是OFF狀態，因此閘極臨界電壓即是閘射極電壓使IGBT導通并流過特定的集極電流。VGEth是隨著介面溫度遽增而遞減的（-11mV/℃）。
（六 ）跨導（Transconductance） gfs
跨導（gfs）（圖6）是于特定集極電流時，集極電流和閘射極電壓之商數 。 跨導是用來表示IGBT增益的方式。由于跨導的量測是在清楚嚴格的特定條件下所做的兩個量測之值，因此，測試設備的精準性對測試結果有很大的影向力。
第二種方法是調整閘射極電壓至特定的集射極電壓（VP）并思考下列式子：
△ VGE = △Vp
IGBT的順向跨導是會隨著介面溫度升高而增加的，其原因在于定閘極電壓時，增加集極電流時，因電流Thermal run-away而會使晶片溫度升高，因此IGBT 并不被建議來當做一個線性放大器使用。
（七）閘極至射極之泄漏電流IGEs
IGEs（圖8）是指在特定的閘射極電壓及集極短路至射極時閘極之泄漏電流 。此測試可能可以知道正或負的閘射極電壓。所量測的電流是相當小的，因此，脈沖至少須維持一個電源周期的積分時間，避免因閘極電容吸收的電流所產生之誤差。此量測必須在閘極電壓穩定后才可進行。
HZ4838晶體管特性圖示儀
晶體管特性圖示儀是一種用示波管顯示半導體器件的各種特性曲線，并可測量其靜態參數的測試儀器。它功能強，操作方便，對于從事半導體管機理的研究及半導體在無線電領域的應用，是必不可少的測試工具。
最新產品
- ATTO 680 biotin 2025/9/23 2:13:06
- ATTO 680 streptavidin 2025/9/23 2:12:42
- ATTO 740 maleimide 2025/9/23 2:12:18
- ATTO 740 NHS ester 2025/9/23 2:11:54
- ATTO 740 carboxy 2025/9/23 2:11:30
- ATTO 740 2025/9/23 2:11:06
- ATTO 700 maleimide 2025/9/23 2:10:42
- ATTO 700 NHS ester 2025/9/23 2:10:18
- ATTO 700 carboxy 2025/9/23 2:09:54
- ATTO 700 2025/9/23 2:09:30
- ATTO 532 cadaverin 2025/9/23 2:09:06
- ATTO 532 alkin 2025/9/23 2:08:42
- ATTO 532 hydrazid 2025/9/23 2:08:17
- ATTO 532 iodacetamid 2025/9/23 2:07:53
- ATTO 532 azide 2025/9/23 2:07:29
- ATTO 532 amine 2025/9/23 2:07:05
- ATTO 532 biotin 2025/9/23 2:06:40
- ATTO 532 streptavidin 2025/9/23 2:06:16
- ATTO 532 maleimide 2025/9/23 2:05:52
- ATTO 532 carboxy 2025/9/23 2:05:28
- ATTO 620 2025/9/23 2:05:04
- ATTO 610 2025/9/23 2:04:40
- 3-HTC 2025/9/23 2:04:16
- 5-ROX tetrazine 2025/9/23 2:03:52
- ATTO 550 cadaverin 2025/9/23 2:03:28
- ATTO 550 alkyne 2025/9/23 2:03:04
- ATTO 550 hydrazid 2025/9/23 2:02:40
- ATTO 550 iodacetamid 2025/9/23 2:02:16
- ATTO 514 alkyne 2025/9/23 2:01:52
- ATTO 514 hydrazid 2025/9/23 2:01:28