多功能磁控濺射儀(濺射、熱蒸發、電子束蒸發)
NPGS美國電子束曝光系統(納米圖形發生系統)（南京覃思）
電子束曝光系統（electron beam lithography, EBL）是一種利用電子束在工件面上掃描直接產生圖形的裝置。由于SEM、STEM及FIB的工作方式與電子束曝光機十分相近，美國JC Nabity Lithography Systems公司成功研發了基于改造商品SEM、STEM或FIB的電子束曝光裝置（Nanometer Pattern Generation System納米圖形發生系統，簡稱NPGS，又稱電子束微影系統）。電子束曝光技術具有可直接刻畫精細圖案的優點，且高能電子束的波長短（< 1 nm），可避免繞射效應的困擾，是實驗室制作微小納米電子元件理想選擇。相對于購買昂貴的用電子束曝光機臺，以既有的SEM等為基礎，外加電子束控制系統，透過電腦介面控制電子顯微鏡中電子束之矢量掃描，以進行直接刻畫圖案，在造價方面可大幅節省，且兼具原SEM 的觀測功能，在功能與價格方面均具有優勢。由于其具有高分辨率以及低成本等特點，在北美研究機構中，JC Nabity的NPGS是非常熱銷的配套于掃描電鏡的電子束微影曝光系統，而且它的應用在各地越來越廣泛。NPGS的技術目標是提供一個功能強大的多樣化簡易操作系統，結合使用市面上已有的掃描電鏡、掃描透射電鏡或聚焦離子束裝置，用來實現藝術的電子束或離子束平版印刷技術。NPGS能成功滿足這個目的，得到了當眾多用戶的強烈推薦和一致肯定。一. 技術描述：為滿足納米電子束曝光的要求，JC Nabity的NPGS系統設計了一個納米圖形發生器和數模轉換電路，并采用PC機控制。PC機通過圖形發生器和數模轉換電路去驅動SEM等儀器的掃描線圈，從而使電子束偏轉并控制束閘的通斷。通過NPGS可以對標準樣片進行圖像采集以及掃描場的校正。配合精密定位的工件臺，還可以實現曝光場的拼接和套刻。利用配套軟件也可以新建或導入多種通用格式的曝光圖形。（一） 電子源（Electron Source）曝照所需電子束是由既有的SEM、STEM或FIB產生的電子束（離子束）提供。（二） 電子束掃描控制（Beam Scanning Control）電子射出后，受數千乃至數萬伏特之加速電壓驅動沿顯微鏡中軸向下移動，并受中軸周圍磁透鏡（magnetic lens）作用形成聚焦電子束而對樣本表面進行掃描與圖案刻畫。掃描方式可分為循序掃描（raster scan）與矢量掃描（vector scan）。循序掃描是控制電子束在既定的掃描范圍內進行逐點逐行的掃描，掃描的點距與行距由程式控制，而當掃描到有微影圖案的區域時，電子束開啟進行曝光，而當掃描到無圖案區域時，電子束被阻斷；矢量掃描則是直接將電子束移動到掃描范圍內有圖案的區域后開啟電子束進行曝光，所需時間較少。掃描過程中，電子束的開啟與阻斷是由電子束阻斷器（beam blanker）所控制。電子束阻斷器通常安裝在磁透鏡組上方，其功效為產生一大偏轉磁場使電子束完全偏離中軸而無法到達樣本。（三） 阻劑（光阻）阻劑（resist）是轉移電子束曝照圖案的媒介。阻劑通常是以薄膜形式均勻覆蓋于基材表面。高能電子束的照射會改變阻劑材料的特性，再經過顯影（development）后，曝照（負阻劑）或未曝照（正阻劑）的區域將會留在基材表面，顯出所設計的微影圖案，而后續的制程將可進一步將此圖案轉移到阻劑以下的基材中。PMMA（poly-methyl methacrylate）是電子束微影中很常用的正阻劑，是由單體甲基丙烯酸甲酯（methyl methacrylate, MMA）經聚合反應而成。用在電子阻劑的PMMA 通常分子量在數萬至數十萬之間，受電子束照射的區域PMMA 分子量將變成數百至數千，在顯影時低分子量與高分子量PMMA 溶解度的對比非常大。負阻劑方面，多半由聚合物的單體構成。在電子束曝照的過程中會產生聚合反應形成長鏈或交叉鏈結（crosslinking）聚合物，所產生的聚合物較不易被顯影液溶解因而在顯影后會留在基板表面形成微影圖案。目常用的負阻劑為化學倍增式阻劑（chemically amplified resist），經電子束曝照后產生氫離子催化鏈結反應，具有高解析度、高感度，且抗蝕刻性高。（四） 基本工序電子束微影曝光技術的基本工序與光微影曝光技術相似，從上阻、曝照到顯影，各步驟的參數（如溫度、時間等等）均有賴于使用者視需要進行校對與調整。二. 主要技術指標：型號：NPGS細線寬（μm）：根據SEM小束斑（μm）：根據SEM掃描場：可調加速電壓：根據SEM，一般為0-40kV速度：5MHz（可選6MHz）A. 硬件：微影控制介面卡：NPGS PCI-516A High Speed Lithography Board，high resolution （0.25%）控制電腦：Pentium IV 3.0GHz/ 512Mb RAM/ 80G HD/ Windows XP皮可安培計：KEITHLEY 6485 PicoammeterB. 軟件：微影控制軟件 NPGS V9.1 for Windows2000 或 XP 圖案設計軟件 DesignCAD LT 2000 for Windows三. 應用簡述NPGS電鏡改裝系統能夠制備出具有高深寬比的微細結構納米線條，從而為微電子域如高精度掩模制作、微機電器件制造、新型IC研發等相關的微/納加工技術提供了新的方法。NPGS系統作為制作納米尺度的微小結構與電子元件的技術平臺，以此為基礎可與各種制程技術與應用結合。應用范圍和域取決于客戶的現有資源，例如： NPGS電子束曝光系統可與等離子應用技術做很有效的整合，進行各項等離子制程應用的開發研究，簡述如下：（一） 半導體元件制程等離子制程已廣泛應用于當半導體元件制程，可視為電子束微影曝光技術的下游工程。例如：（1） 等離子刻蝕（plasma etching）（2） 等離子氣相薄膜沉積（plasma-enhanced chemical vapor deposition, PECVD）（3） 濺鍍（sputtering）（二） 微機電元件制程（Semiconductor Processing）微機電元件在制程上與傳統半導體元件制作有其差異性。就等離子相關制程而言，深刻蝕（deep etching）是主要的應用，其目標往往是完成深寬比達到102 等的深溝刻蝕或晶圓穿透刻蝕。而為達成高深寬比，深刻蝕采用二種氣體等離子交替的過程？涛g完成后可輕易以氧等離子去除側壁覆蓋之高分子。在微機電元件制作上，深刻蝕可與電子束微影曝光技術密切結合。電子束微影曝光技術在圖案設計上之自由度十分符合復雜多變化的微機電元件構圖。一旦完成圖案定義，將轉由深刻蝕技術將圖案轉移到晶圓基板。
電子束實驗儀
美國Temescal公司電子束蒸發鍍膜系統
| 設備型號 | FC/BJD-2000 | FC/BCD-2800 | FC-3800 | FC-4400 |
| 2inch 晶圓 | 42 | N/A | N/A | N/A |
| 3inch 晶圓 | 17 | 47 | N/A | N/A |
| 100mm晶圓 | 13 | 25 | 53 | 55 |
| 150mm晶圓 | 5 | 12 | 25 | 30 |
| 200mm晶圓 | N/A | 6 | 14 | 15 |
聯系人：張先生 139- （#qq.com）
真空電子束焊機真空泵
供應真空電子束焊機真空泵，電子束在配置大路通DLT.V0300真空泵的真空環境里焊接因具有不用焊條、不易氧化、工藝重復性好及熱變形量小的優點而廣泛應用于航空航天、原子能、國防及軍工、汽車和電氣電工儀表等眾多行業。電子束焊接要求真空度很高，一般是需要配置多臺真空泵才能達到要求，大路通DLT.V0300真空泵是一款結構緊湊,堅固耐用,安全環保的真空泵,轉子具有良好的幾何對稱性，故振動小，運轉平穩，真空泵高，所以多作為真空電子束焊機的前級泵配置。本公司技術人員集多年的行業應用經驗,借鑒多款歐美產品的優點,結合中國用戶的使用維護習慣而獨立開發的產品.選用優質配套件,采用先進的加工裝配工藝,確保產品的高品質及可靠性.DLT.V0300真空泵能長期不間斷運行.DLT.V0300真空泵參數抽氣速率: 300立方米/小時極限壓力: 0.1mbar電 源：380V 電機功率: 7.5KW重量: 約210KG可按應用要求配置多種附件, 體積緊湊，運行寧靜，尤其適合各類機械設備配套.產品特點：1.設計精密.結構堅固.重量輕.易于安裝及維護.1.低噪音,低震動,工作環境不會受影響 2.內置高效油霧過濾器,所排出的氣體不含油霧 3.采用風冷卻,但較大型的真空泵配有冷卻風管,利用風扇將風管內的潤滑油冷卻,提高冷卻效果 4.內置止回閥及氣鎮閥，可避免停機后泵逆轉而造成油逆流及避免高真空環境下，空氣所含水氣經壓縮凝結成水點，造成潤滑油乳化變質5.抽風量強勁,極限真空可達到0.1mbar（10Pa）6.運轉聲音小.大路通真空泵已普遍應用于各類儀器真空包裝，橡膠和塑料工業上的真空吸塑成形，印刷工業上的紙張輸送，各類鑄件的真空浸漬防漏，機械加工上的真空夾具，電子半導體工業上的元器件真空裝夾定位，化工上的真空干燥，過濾，大型機械零件在空真狀態下的動平衡試驗以及醫院手術室的真空吸引等在本型泵所能達到的真空范圍的各種真空處理。適用機械:硫化機/加硫機/吸塑機/層壓機/橡膠硫化機/精雕機/自動化機械手/吸附加工/真空貼膜機/食品包裝機/線路板/薄膜開關/模具抽真空/真空機床吸盤/雕銑機/高光機/CD紋機/數控批花機/含浸機/浸漆機/破波機/脫泡機/灌膠機/點膠機/注型機/電子束焊機
電子束蒸發系統
| 技術參數
1.電子束源&電源 •單個或者可自由切換換電子束源： －－蒸發室數量 1 ~ 12(標配: 4, 6) －－坩堝容量：7 ~ 40 cc (最大可達200 cc) －－－－標準：25 cc (4 or 6 Pocket), 40 cc (4 Pocket) －－－－最大：200 cc (156cc for UHV) 可用于長時間的沉積 •偏轉角度：180º, 270º •輸出功率：6, 10, 15, 20 kW •支持兩個或者三個電子束源在一個系統上 •可連續或者同時沉積兩種或三種材料 •高速率沉積 2.薄膜沉積控制： •IC-5 ( or XTC, XTM) 和計算機控制 －－沉積過程參數可控 －－石英晶體振蕩傳感器 －－光學檢測系統用于光學多層薄膜沉積：測量波長范圍350-2000 nm，分辨率1 nm •薄膜厚度檢測和處理過程可通過計算機程序控制 •薄膜厚度檢測和沉積速率可通過計算機程序控制 －－支持大面積沉積 －－支持在線電子束蒸發沉積 －－基底尺寸：20~100英寸 －－薄膜均勻性 <±1.0 to 5.0 % 3.真空腔體： •圓柱形腔體 －－直徑：φ500 ~ 1,500 mm －－高度：800 ~ 1500 mm •方形腔體 －－根據客戶的需求定制 4.真空泵和測量裝置： •低真空：干泵和convectron真空規 •高真空：渦輪分子泵，低溫泵和離子規 •超高真空：雙級渦輪分子泵，離子泵和離子規 5.控制系統PLC和 觸摸屏計算機： •硬件: PLC, 觸摸屏計算機 －－包括模擬和數字輸入/輸出卡 －－顯示器: LCD •自動和手動程序控制 －－程序控制：加載，編輯和保存 －－程序激活控制： －－－－泵抽真空，蒸發沉積，加熱， 旋轉等 －－－－膜厚度檢測和控制多層薄膜沉積 －－－－系統狀態，數據加載等 －－－－問題解答和聯動狀態
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| 主要特點
擴展功能： •質量流量控制器：反應和等離子體輔助惰性氣體控制 •離子源和控制器：等離子體輔助沉積 •射頻電源：基底預先處理 •溫度控制器：基底加熱 •熱蒸發器：1 or 2 boat •蒸鍍源cell：1 or 2 for doping •冷卻器：系統冷卻
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全球專業的沉積設備制造商，為各個領域的客戶提供完善的薄膜沉積解決方案：電子束蒸發系統、熱蒸發系統、超高真空蒸發系統、分子束外延MBE、有機分子束沉積OMBD、等離子增強化學氣相淀積系統PECVD/ICP Etcher、電子回旋共振等離子體增強化學氣相沉積、離子泵等； 電子束蒸發系統： 1.膜電子束蒸發系統E -Beam Evaporation System 2.高真空電子束蒸發系統High Vacuum E -Beam Evaporation System 3.超高真空電子束蒸發系統Ultra-high Vacuum (UHV) E -Beam Evaporation System 4.離子輔助蒸發系統Ion Beam Assisted Evaporation System 5.離子電鍍系統Ion Plating System 6.Cluster Tool E -Beam Evaporation System 7.在線電子束蒸發系統In-line E -Beam Evaporation System | ||
EB-4電子束實驗儀
型號:M292648 電子束實驗儀
| 電子束實驗儀 型號:M292648 | |
| 研究電子在電場和磁場中運動變化規律，可進行電偏轉、電聚焦磁偏轉、磁聚焦、電子荷質比實驗。 1、一體化結構，有5只數顯表獨立顯示各部分電壓、電流，無須轉換就可同時讀數。 2、采用模塊化設計，有完善的保護電路，配以高且帶有護套的專用連接線，確保實驗安全、、經久耐用。 3、配有可達3.5A的磁偏轉電流源可方便地實現二次聚焦。 |
DL08-24053電子束演示儀
電子束演示儀采用8SJ31G型靜電偏轉陰極射線演示管。當該管各極加上工作電壓后，從陰極射出具有能量的電子束，由于電子束是不可以用肉眼觀察到的，所以通過將電子束加速增加其動量去轟擊用特殊材料制作成的熒光屏幕，使屏幕發光，顯示電子束的徑跡。
儀器的主要用途：(1)演示加速后的電子，在沒有外來電場或磁場的作用時，按直線運動。(2)觀察電子束在電場的作用下發生偏轉。(3)觀察電子束在磁場中所受的洛侖茲力。(4)說明熱電子發射現象。該儀器設計合理，體積小重量輕，使用方便，安全可靠，維護、維修極為便利。
二、技術性能：
2-1、加速電壓：0～700伏 連續可調。
2-2、偏轉電壓：幅度為0～50伏 連續可調。
2-3、偏轉方向：上、下、左、右四個方向。（電場作用）
2-4、顯示方式：熒光屏幕顯示電子束徑跡。
2-5、電源：220V±10％ 50Hz。
2-6、功耗：＜30W。
2-7、工作環境：a)溫度：0～40℃。
b)相對濕度：＜85%。
2-8、連續工作時間：小時。
DT306-EB-Ⅲ電子束實驗儀 電子束實驗計
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