原子層沉積系統產品及廠家
itan具有反應離子刻蝕(rie)配置、高密度電感耦合等離子沉積(hdicp)或等離子增強型化學汽相沉積(pecvd)配置。可對單個基片或帶承片盤的基片(3”-300mm)進行處理。它還具有多尺寸批量處理功能。價格適宜且占地面積小。
更新時間:2025-09-17
oracle iii由中央真空傳輸系統(cvt)、真空盒升降機和最多四個工藝反應室構成。這些工藝反應室與中央負載鎖對接，既能夠以生產模式運行，也能夠作為單個系統獨立作業。 oracle iii是市場上最靈活的系統，既可以為實驗室環境進行配置(使用單基片裝卸)，也可以為批量生產進行配置(使用真空盒升降機進行基片傳送)。
更新時間:2025-09-17
minilock-orion iii是一套最先進的等離子增強型化學汽相沉積(pecvd)系統。 系統的下電極尺寸可為200mm或300mm，且根據電極配置，可以處理單個基片或帶承片盤的基片(3” - 300mm尺寸)，或者多尺寸批量處理基片(4x3”; 3x4”; 7x2”)。可沉積的薄膜包括：氧化物、氮氧化物、無定形硅和碳化硅。
更新時間:2025-09-17
型號：新雪麗 (405321) 歐款pvc涂層滌綸防寒工作服；內部襯里為3m thinsulatetm 填充物，帶拉鏈，襯里可拆卸。帽子固定，可折疊到衣領中，
更新時間:2025-09-11
picosun獨特的突破性ald專業知識可追溯到ald技術本身的誕生。于1974年在芬蘭發明了ald方法，并在工業上獲得了。在高質量ald系統設計方面擁有豐富的經驗。
更新時間:2025-09-09
picosun®r-200 advanced ald系統適用于數十種應用的研發，例如ic組件，mems器件，顯示器，led，激光和3d對象，例如透鏡，光學器件，珠寶，硬幣和醫療植入物。
更新時間:2025-09-09
picosun®p-300b ald系統是專為生產mems設備（例如打印頭，傳感器和麥克風）以及各種3d物品（例如機械零件，玻璃或金屬薄板，硬幣，手表零件和珠寶，鏡片，光學器件以及醫療設備和植入物。
更新時間:2025-09-09
nte-4000（a）全自動熱蒸發系統概述：nano-master nte-4000是一款pc計算機控制的全自動立式熱蒸發系統，在有機物和金屬沉積方面具有廣泛的應用。設備的設計經過非常慎重的考慮:在小的占地面積情況下實現干凈、均勻、可控及可重復的工藝過程。它們具有低價格, 高性能以及高能力的特點，可滿足于客戶研發及小規模生產的應用要求。 nte-4000熱蒸發系統可以在設定的rms電流下，或者在閉環的配置下操作，并且在這種情況下沉積速度的變化被用于調節rms電流以維持恒定的沉積速度。
更新時間:2025-08-21
nld-4000（a）全自動原子層沉積系統概述：原子層沉積是一項沉積薄膜的重要技術，具有廣泛的應用。ald原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積，這方面ald原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ald原子層沉積中有序、自限制的表面反應將會帶來非統計的沉積。這使得ald原子層沉積膜保持高度的光滑、連續以及無孔的特性，可以提供卓越的薄膜性能。ald原子層工藝也可以實現到大基片上。
更新時間:2025-08-21
nld-3500（a）全自動原子層沉積系統概述：原子層沉積是一項沉積薄膜的重要技術，具有廣泛的應用。ald原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積，這方面ald原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ald原子層沉積中有序、自限制的表面反應將會帶來非統計的沉積。這使得ald原子層沉積膜保持高度的光滑、連續以及無孔的特性，可以提供卓越的薄膜性能。ald原子層工藝也可以實現到大基片上。
更新時間:2025-08-21
npe-4000（icpm）icpecvd等離子體化學氣相沉積系統概述：nano-master icpecvd系統能夠沉積高質量的sio2, si3n4, 或dlc薄膜到最大可達6” 直徑的基片上.該系統采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來產生等離子，具有分形氣流分布的優勢.樣品臺可以通過rf或脈沖dc產生偏壓。并可以支持加熱和循環冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵，腔體可以達到低至10-7 torr的真空。標準配置包含1路惰性氣體、3路活性氣體管路和4個mfc.帶有獨一無二氣體分布系統的平面中空陰極等離子源使得系統可以滿足廣大范圍的要求，無論是等離子強度、均勻度，還是要分別激活某些活性組份，這樣系統可以覆蓋最廣的可能性來獲得各種沉積參數。
更新時間:2025-08-21
nld-4000（icpm）peald系統概述：原子層沉積是一項沉積薄膜的重要技術，具有廣泛的應用。ald原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積，這方面ald原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ald原子層沉積中有序、自限制的表面反應將會帶來非統計的沉積。這使得ald原子層沉積膜保持高度的光滑、連續以及無孔的特性，可以提供卓越的薄膜性能。ald原子層工藝也可以實現到大基片上。
更新時間:2025-08-21
nano-master針對ingan及algan沉積工藝所研發的臺式等離子輔助金屬有機化學氣相沉積系統(pa-mocvd),該系統具有5個鼓泡裝置(各帶獨立的冷卻槽)、加熱的氣體管路、950度樣品臺三個氣體環、淋浴式氣體分布的rf射頻等離子源以及工藝終端的n2沖洗、250l/sec渦輪分子泵及無油真空泵(5 x 10-7torr極限真空)、pc全自動控制，完全的安全互鎖。
更新時間:2025-08-21
nano-master(那諾-馬斯特)noc-4000光學涂覆系統提供最先進的技術，系統的設計也可以支持其中任一個腔體的單獨使用，同時具備各自的自動上/下載片功能。在一個腔體中實現原子級清洗和光學樣片拋光，然后把樣片傳送到第二級腔體中對同一樣片進行表面涂覆，整個過程不間斷真空。
更新時間:2025-08-21
npe-4000（icpa）全自動icpecvd等離子體化學氣相沉積系統概述：nano-master icpecvd系統能夠沉積高質量的sio2, si3n4, 或dlc薄膜到最大可達6” 直徑的基片上.該系統采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來產生等離子，具有分形氣流分布的優勢.樣品臺可以通過rf或脈沖dc產生偏壓。并可以支持加熱和循環冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵，腔體可以達到低至10-7 torr的真空。標準配置包含1路惰性氣體、3路活性氣體管路和4個mfc.帶有獨一無二氣體分布系統的平面中空陰極等離子源使得系統可以滿足廣大范圍的要求，無論是等離子強度、均勻度，還是要分別激活某些活性組份，這樣系統可以覆蓋最廣的可能性來獲得各種沉積參數。
更新時間:2025-08-21
npe-3500 pecvd等離子體化學氣相沉積系統概述：nano-master pecvd系統能夠沉積高質量的sio2, si3n4, 或dlc薄膜到最大可達12” 直徑的基片上.該系統采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來產生等離子，具有分形氣流分布的優勢.樣品臺可以通過rf或脈沖dc產生偏壓。并可以支持加熱和循環冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵，腔體可以達到低至10-7 torr的真空。標準配置包含1路惰性氣體、3路活性氣體管路和4個mfc.帶有獨一無二氣體分布系統的平面中空陰極等離子源使得系統可以滿足廣大范圍的要求，無論是等離子強度、均勻度，還是要分別激活某些活性組份，這樣系統可以覆蓋最廣的可能性來獲得各種沉積參數。
更新時間:2025-08-21
npe-3000 pecvd等離子體化學氣相沉積系統概述：nano-master pecvd系統能夠沉積高質量的sio2, si3n4, 或dlc薄膜到最大可達12” 直徑的基片上.該系統采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來產生等離子，具有分形氣流分布的優勢.樣品臺可以通過rf或脈沖dc產生偏壓。并可以支持加熱和循環冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵，腔體可以達到低至10-7 torr的真空。標準配置包含1路惰性氣體、3路活性氣體管路和4個mfc.帶有獨一無二氣體分布系統的平面中空陰極等離子源使得系統可以滿足廣大范圍的要求，無論是等離子強度、均勻度，還是要分別激活某些活性組份，這樣系統可以覆蓋最廣的可能性來獲得各種沉積參數。
更新時間:2025-08-21
nld-4000（icpa）全自動peald系統概述：原子層沉積是一項沉積薄膜的重要技術，具有廣泛的應用。ald原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積，這方面ald原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ald原子層沉積中有序、自限制的表面反應將會帶來非統計的沉積。這使得ald原子層沉積膜保持高度的光滑、連續以及無孔的特性，可以提供卓越的薄膜性能。ald原子層工藝也可以實現到大基片上。
更新時間:2025-08-21
nld-4000（m）原子層沉積系統概述：原子層沉積是一項沉積薄膜的重要技術，具有廣泛的應用。ald原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積，這方面ald原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ald原子層沉積中有序、自限制的表面反應將會帶來非統計的沉積。這使得ald原子層沉積膜保持高度的光滑、連續以及無孔的特性，可以提供卓越的薄膜性能。ald原子層工藝也可以實現到大基片上
更新時間:2025-08-21
nld-3500（m）原子層沉積系統概述：原子層沉積是一項沉積薄膜的重要技術，具有廣泛的應用。ald原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積，這方面ald原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ald原子層沉積中有序、自限制的表面反應將會帶來非統計的沉積。這使得ald原子層沉積膜保持高度的光滑、連續以及無孔的特性，可以提供卓越的薄膜性能。ald原子層工藝也可以實現到大基片上
更新時間:2025-08-21
nld-3000原子層沉積系統概述：原子層沉積是一項沉積薄膜的重要技術，具有廣泛的應用。ald原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積，這方面ald原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ald原子層沉積中有序、自限制的表面反應將會帶來非統計的沉積。這使得ald原子層沉積膜保持高度的光滑、連續以及無孔的特性，可以提供卓越的薄膜性能。ald原子層工藝也可以實現到大基片上。
更新時間:2025-08-21
1、實驗中心：提供免費實驗服務（特殊材料實驗除外），幫助客戶了解電爐設備及實驗物品的性能等參數。(新用戶限免費實驗1次，老用戶*)。2、技術咨詢：免費為客戶提供電爐設備與實驗材料相關的技術咨詢、常規技術服務等，設備配件更換，僅收成本費。3、非標訂制：可根據實際客戶需要訂制爐膛尺寸，配置相應的對應規格配件
更新時間:2025-08-20
美國svt公司ald原子層沉積系統自1990年來薄膜淀積設備制造商。擁有獨立的室內實驗室用于材料研究和工藝開發。提供廣泛的服務，包括淀積設備、淀積部件、集成傳感器以及工藝控制設備制造和工藝技術的高度結合，為客戶提供的技術服務實驗室7臺應用淀積設備生長出的材料多條設備生產線幾乎覆蓋了整個薄膜淀積設備市場在薄膜淀積領域擁有超過120臺設備的供應商。
更新時間:2025-06-23
veeco(之前稱之為cambridge nanotech)已經有15年以上的ald研發生產經驗。2003年cambridge nanotech成立于哈佛大學，05年搬到boston并生產出thermal ald - savannah, 之后生產出plasam ald - fuji、批量生產ald-phoenix。2017年被veeco收購，并更新了batch hvm ald - firebird。至今為止，veeco在ald設備已有15年多的經驗，全球已安裝五百多臺ald設備。
更新時間:2020-05-27
veeco(之前稱之為cambridge nanotech)已經有15年以上的ald研發生產經驗。2003年cambridge nanotech成立于哈佛大學，05年搬到boston并生產出thermal ald - savannah, 之后生產出plasam ald - fuji、批量生產ald-phoenix。2017年被veeco收購，并更新了batch hvm ald - firebird。至今為止，veeco在ald設備已有15年多的經驗，全球已安裝五百多臺ald設備。
更新時間:2020-05-27
veeco(之前稱之為cambridge nanotech)已經有15年以上的ald研發生產經驗。2003年cambridge nanotech成立于哈佛大學，05年搬到boston并生產出thermal ald - savannah, 之后生產出plasam ald - fuji、批量生產ald-phoenix。2017年被veeco收購，并更新了batch hvm ald - firebird。至今為止，veeco在ald設備已有15年多的經驗，全球已安裝五百多臺ald設備。
更新時間:2020-05-27
veeco(之前稱之為cambridge nanotech)已經有15年以上的ald研發生產經驗。2003年cambridge nanotech成立于哈佛大學，05年搬到boston并生產出thermal ald - savannah, 之后生產出plasam ald - fuji、批量生產ald-phoenix。2017年被veeco收購，并更新了batch hvm ald - firebird。至今為止，veeco在ald設備已有15年多的經驗，全球已安裝五百多臺ald設備。
更新時間:2020-05-27
此產品廣泛應用于：半導體、納米材料、鈉米科技、薄膜材料、薄膜沉積以及航空航天領域。 picosun公司是一個國際化的設備制造商，在全球有銷售和服務機構.我們開發和制造原子層沉積反應器用于微米和納米技術應用。picosun為客戶提供用戶友好，可靠及多產的ald工藝工具，提供從研發到生產的工業放大。picosun基地在芬蘭的espoo，美國總部在detroit。sunale型ald工藝工具被用于歐州、美國及亞洲前沿的科學機構、公司。
更新時間:2020-05-26
ion beam assisted deposition (離子輔助沉積) 離子輔助沉積已經成為在無規取向的基片或無定形基片上沉積雙軸結構薄膜的一種重要技術 高性能的ibad(離子輔助沉積)系統
更新時間:2020-05-26
原子層沉積（atomic layer deposition)是一種可以將物質以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法。原子層沉積與普通的化學沉積有相似之處。但在原子層沉積過程中，新一層原子膜的化學反應是直接與之前一層相關聯的，這種方式使每次反應只沉積一層原子。
更新時間:2020-05-26
原子層沉積（atomic layer deposition)是一種可以將物質以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法。原子層沉積與普通的化學沉積有相似之處。但在原子層沉積過程中，新一層原子膜的化學反應是直接與之前一層相關聯的，這種方式使每次反應只沉積一層原子
更新時間:2020-05-26
深圳北斗芯微科技有限公司是一家專業pcb線路板設計，芯片解密和oem代工的的公司，主要從事:pcb layout；pcb改板，電路板克隆（抄板）；pcb轉原理圖，bom單制作； 各類電路板制板；樣機制作、調試，pcb批量生產，防抄板技術，半成品加工，oem代工生產，芯片解密等 。公司擁有一批具有多年線路板設計經驗的專業技術精英，對多層pcb板有極 其詳盡透徹的了解，對含有激光孔、盲孔、埋孔的高端pcb板結構及走線規則的 理解更是勝人一籌。無論是元件密集，遍布微帶線、等長線的電腦主板、高端顯卡板、千兆網絡設備基板，或是對高頻處理要求苛刻，電磁兼容性控制嚴格的小靈通主板、手機主板、無線網卡、藍牙板、路由器及其他無線通訊設備，以及疊層多達30多層pcb板，盲孔埋孔密布的工控主板，我們都能依據客戶提供的一套完好樣板一次性克隆成功。
更新時間:2012-07-18
原子層沉積是在一個加熱反應器中的襯底上連續引入至少兩種前驅體物種，化學吸附的過程直至表面飽和時就自動終止，適當的過程溫度阻礙了分子在表面的物理吸附。一個基本的原子層沉積循環包括四個步驟：脈沖a，清洗a，脈沖b和清洗b。沉積循環不斷重復直至獲得所需的薄膜厚度，是制作納米結構從而形成納米器件的工具。
更新時間:2012-03-08
最新產品
- @商務主推BL20-4DI-24VDC-P 6827012 2025/9/19 19:15:55
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- @商務推出HFBR-PMD001 2025/9/19 19:05:08
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- 主推KQ5E KQ5E-01 JEV06275-001 2025/9/19 18:56:04
- @商務主推1734-FPD 2025/9/19 18:53:33
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- @商務推出C79458-L9006-B1 2025/9/19 18:52:11
- @采購推選MR-J4-200A 2025/9/19 18:51:35
- 推選FR-A720-1.5K 2025/9/19 18:48:52
- 推送14410LAB55 WA430052 2025/9/19 18:48:10
- 推出VW3A66504 2025/9/19 18:47:24
- 現貨GT2-H12 2025/9/19 18:46:43
- 推送A06B-6220-H011#H600 2025/9/19 18:43:44
- @市場推送6ES5470-4UB13 2025/9/19 18:43:06