化學氣相沉積設備產品及廠家
德國iplas微波等離子化學氣相沉積 iplas mpcvd 915mhz系統,德國 iplas公司的獨家利多天線耦合微波等離子技術（cyrannus®），可在反應腔中實現高的 sp3 鍵轉化率，使得腔體中充滿過飽和原子氫和含碳基團，從而有效地提高了沉積速率并且使得金剛石的沉積質量得到改善，這正是獲取優質金剛石的技術基礎。
更新時間:2025-09-17
德國netzsch 差示掃描量熱儀dsc 3500 sirius，該技術操作簡便，分析快速，在研發、制造和質量檢驗域中逐漸成為不可取代的檢測技術。針對具體材料、產品的應用和性能評估及解析，對應有各種各樣的標準（如astm，din，iso等）。
更新時間:2025-09-17
德國iplas mpcvd cyrannus® 利技術微波等離子化學氣相沉積系統，廣泛應用于第四代半導體，射頻器件，散熱器件，光學窗口等高科技令域，晶圓生長金剛石膜，被譽為半導體終材料。
更新時間:2025-09-17
syskey 超高真空熱蒸發鍍膜機uhv thermal, ? 靈活的基板尺寸可達 8 英寸? 基板支架加熱至 800 °c? 優 異的薄膜均勻性小于 ±3％? 船和電池源（數量最多 6 個）? 可以共蒸發和摻雜。? 用選定的目標材料沉積多層薄膜? 可與其他沉積系統集成
更新時間:2025-09-17
syskey 高真空電子束鍍膜系統 hv e-beam,靈活的基板尺寸可達 12 英寸? 基板支架加熱至 800 °c 或水/油/ln2 冷卻? 優 異的薄膜均勻性小于 ±3％? 4/6/8 個口袋電子束源（每個口袋最多 40 cc）? 6 kw 電源可支持大部分材料蒸發? 用選定的目標材料沉積多層薄膜? 可與其他沉積技術或沉積系統集成
更新時間:2025-09-17
syskey lift-off e-beam 電子束蒸發鍍膜系統，靈活的基板尺寸可達 12 英寸? 基板支架水、油或 ln2 冷卻? 優 異的薄膜均勻性小于 ±3％? 4/6/8 個口袋電子束源（每個口袋最多 40 cc）? 6 kw 電源可支持大部分材料蒸發? 用選定的目標材料沉積多層薄膜? 負載鎖定是可選的，效率高? 可與其他沉積系統集成? 樣品傾斜是可選的
更新時間:2025-09-17
syskey 超高真空電子束鍍膜 uhv e-beam, ? 靈活的基板尺寸可達 12 英寸? 基板支架水、油或 ln2 冷卻和傾斜? 優 異的薄膜均勻性小于 ±3％? 4/6/8 個口袋電子束光源（每個口袋最多 40 cc）? 6 kw 電源可支持大部分材料蒸發? 用選定的目標材料沉積多層薄膜? 2.pngtorr 是可選的鋁基約瑟夫森結? 可與其他沉積系統集成
更新時間:2025-09-17
syskey 積沉多腔體鍍膜系系統 pvd cluster,靈活的基板尺寸可達 12 英寸? 基板支架加熱或冷卻? 優 異的薄膜均勻性小于 ±3％? 濺射/電子束/熱/離子蝕刻/氧化/退氣? 用選定的目標材料沉積多層薄膜? torr 可選擇用于不同的設備- 可與手套箱集成
更新時間:2025-09-17
syskey 小型多腔體鍍膜機 mini cluster, 靈活的基板尺寸可達 2 英寸。? 基板支架加熱或冷卻。? 優 異的薄膜均勻性小于 ±3％。? 濺射/電子束/熱/離子蝕刻/氧化/退氣? 用選定的靶材沉積多層薄膜。? torr 可針對不同設備進行選擇。- 可與手套箱集成。
更新時間:2025-09-17
syskey 等離子增強原子沉積 peald,我們生產用于超薄氧化物和氮化物涂層的 ald 和 peald 系統。6 前體線路可支持5種材料沉積，氣體管路拓寬反應窗戶。緊湊的手套箱集成不占用額外的實驗室空間。
更新時間:2025-09-17
syskey 等離子增強化學氣相沉積 pecvd? 靈活的基板尺寸可達 12 英寸? 基板支架加熱至 400 °c? 優 異的薄膜均勻性，低于 ±5％? 6 條反應性氣體管路，適用于 sio2、si3n4 沉積? 用選定的目標材料沉積多層薄膜? 負載鎖定是可選的? 等離子自清潔是可選的? teos 工藝是可選的
更新時間:2025-09-17
syskey rie 反應離子刻蝕機，我們生產用于氧化物和氮化物蝕刻的 rie 系統。氣體管線可實現硅基材料刻蝕。全自動作，支持一鍵工序。
更新時間:2025-09-17
syskey 感應耦合-反應離子刻蝕機 icp-rie,用于氧化物和氮化物蝕刻的 icp-rie 系統。氣體管線可實現金屬蝕刻。全自動作，支持一鍵工序。
更新時間:2025-09-17
syskey 離子束刻蝕機 ibe, 離子束蝕刻（ibe）是一種先 進的蝕刻技術，利用離子源去除來自基材表面的材料具有卓 越的均勻性和精度。國際教育局可以適用于金屬、氧化物、半導體、有機物等多種材料化合物。這種蝕刻方法涉及使用帶電粒子的高能束，通常是氬離子，用于物理去除樣品表面的材料。
更新時間:2025-09-17
syskey cvd cluster 化學氣相沉積，pecvd和peald系統可以組合在一起，實現薄膜的多層沉積封裝。單室僅用于某些薄膜沉淀。樣品在兩者之間轉移自動處理腔室。
更新時間:2025-09-17
syskey 緊湊式濺射系統 compact sputter，- 靈活的基板尺寸，最大可達6英寸- 基板架加熱溫度最高可達500℃- 出 色的薄膜均勻性，誤差小于±3％- 最多可配備5個6英寸磁控濺射源（可選配3或4個）- 支持射頻、直流或脈沖直流電源- 最 多可支持3條氣體管路- 支持順序沉積和共沉積- 可選配負載鎖定腔室
更新時間:2025-09-17
syskey 緊湊式熱蒸發系統 compact thermal 靈活的基板尺寸，最大可達6英寸- 基板架加熱溫度最高可達500℃- 出 色的薄膜均勻性，誤差小于±3％- 可選配電子束或熱舟蒸發源（最多3個）- 速率控制沉積- 可沉積多層薄膜，選用特定目標材料- 可選配負載鎖定腔室
更新時間:2025-09-17
高真空濺射系統 hv sputter，靈活的基板尺寸，最大可達12英寸或200×200毫米- 基板架加熱溫度最高可達800℃- 出 色的薄膜均勻性，誤差小于±3％- 最多可配備5個6英寸磁控濺射源（可選配3或4個）- 支持射頻、直流或脈沖直流，適用于非導電或導電靶材- 可選配射頻清洗和刻蝕功能- 可沉積多層薄膜，選用特定目標材料- 可與其他沉積系統集成
更新時間:2025-09-17
超高真空磁控濺射鍍膜機 uhv sputter,? 基板支架加熱至 800 °c? 優 異的薄膜均勻性小于 ±3％? 磁控濺射源（數量最多 8 個），可選強磁版本? 用于非導電或導電目標的射頻、直流或脈沖直流? 使用選定的目標材料沉積多層薄膜? 可與其他特高壓沉積系統集成
更新時間:2025-09-17
syskey 高真空熱蒸發鍍膜機hv thermal，全自動系統可滿足各種應用要求，包括oled、opv、opd等。? 基板支架水冷或油冷? 優 異的薄膜均勻性小于 ±3％? 船和電池源（數量最多 12 個）? 可以共蒸發和摻雜? 用選定的目標材料沉積多層薄膜- 可與手套箱集成
更新時間:2025-09-17
提供大面積刻蝕與沉積的量產型解決方案，led工業要求高產量，高器件質量和低購置成本。 plasmapro 1000更好地解決了這些需求。
更新時間:2025-09-09
plasmapro 80是一種結構緊湊且使用方便的小型直開式系統，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且能確保工藝性能。直開式設計可實現快速晶圓裝卸，是研究、原型設計和小批量生產的理想選擇。 它通過優化的電冷卻和出色的襯底溫度控制來實現高性能工藝。
更新時間:2025-09-09
plasmapro 800 為大批量晶圓和 300mm 晶圓的等離子增強化學氣相沉積 （pecvd） 工藝提供了靈活的解決方案，它采用了緊湊的開放式裝載系統。可實現大型晶圓大規模的批量生產和 300mm 晶圓處理。具有460mm直徑的工作臺，擁有處理整片的300mm晶圓或大批量43 x 50mm（2”）晶圓的能力， 可提供全套量產解決方案。plasmapro 800是的市場列產品。
更新時間:2025-09-09
設計pecvd工藝模式的目的是要在控制薄膜性能，如折射率、應力、電學特性和濕法化學刻蝕速率的提下，生產均勻性好且沉積速率高的薄膜。plasmapro 100 pecvd 由于電溫度均勻性和電
更新時間:2025-09-09
該icpcvd工藝模塊設計用于在低生長溫度下生產高質量的薄膜，通過高密度遠程等離子體實現，從而實現優秀的薄膜質量，同時減少基板損傷。
更新時間:2025-09-09
g10-碳化硅150 mm 和 200 mm – 支持雙晶圓尺寸 – 為您的未來投資提供保障市場上高的晶圓產量 / m2市場上晶圓出色的運行過程性能高度均勻、低缺陷的 sic 外延工藝，可實現大的芯片良率
更新時間:2025-09-09
化合物半導體沉積系統“行星式反應器模塊，用于在150/200毫米襯底（si/藍寶石/sic）上應用氮化鎵，可提高生產率和晶圓性能”
更新時間:2025-09-09
化合物半導體沉積系統aix g5 ww c“下一代碳化硅電力電子器件的佳性能，以應對全球大趨勢”高吞吐量批量外延與單晶圓控制 - 兩全其美。
更新時間:2025-09-09
sentech sipar icp沉積系統是為使用靈活的系統架構的各種沉積模式和工藝開發和設計的。該工具包括 icp 等離子體源 ptsa、一個動態溫控基板電和一個受控的真空系統。該系統將等離子體增強化學氣相沉積 （pecvd） 和原子層沉積 （ald） 結合在一個反應器中。
更新時間:2025-09-09
sentech depolab 200 是基本的等離子體增強化學氣相沉積 （pecvd） 系統，適用于沉積用于蝕刻掩模、膜和電隔離膜以及許多其他材料的介電膜。結合了用于均勻薄膜沉積的平行板電設計的優點和靈活的直接加載設計。從 2 英寸至 200 毫米晶圓和樣品片的標準應用開始。
更新時間:2025-09-09
shale® c系列電感耦合等離子體化學氣相沉積設備（icp-cvd），通過電感耦合（icp）產生高密度等離子體，并通過電容耦合（ccp）產生偏壓，可實現低溫、高致密、低損傷、優填充能力的薄膜沉積工藝。該設備采用了8英寸產線設備所通用的國際標準零部件，符合semi的設計標準，并通過了嚴苛的穩定性和可靠性測試驗證。
更新時間:2025-09-09
shale® a系列等離子體增強化學氣相沉積設備（pecvd），通過平行電容板電場放電產生等離子體，可以在400℃及以下沉積比較致密、均勻性較好的氧化硅、teos、bpsg、氮化硅、氮氧化硅、非晶硅、非晶碳、非晶碳化硅等薄膜。該設備采用了8英寸產線設備所通用的國際標準零部件，符合semi的設計標準，并通過了嚴苛的穩定性和可靠性測試驗證。
更新時間:2025-09-09
ad-230lp是一種原子層沉積（ald）系統，能夠在原子水平上控制薄膜厚度。有機金屬原料和氧化劑交替供給反應室，僅通過表面反應進行薄膜沉積。該系統具有負載鎖定室，且不向大氣開放反應室，因此能夠實現薄膜沉積的優良再現性。
更新時間:2025-09-09
pd-200stl是一種用于研發的低溫(80~400℃)、高速(>300nm/min)等離子體增強型cvd系統。samco的液態源cvd系統采用自偏置沉積技術和液態teos源，以低應力沉積sio2薄膜，從薄膜到厚的薄膜（高達100μm）。pd-200stl具有時尚、緊湊的設計，只需要小的潔凈室空間。
更新時間:2025-09-09
pd-100st是一種用于研發的低溫(80 ~ 400°c)、高速(>300 nm/min)等離子體增強cvd系統。samco的液態源cvd系統采用自偏置沉積技術和液態teos源，以低應力沉積sio2薄膜，從薄膜到厚的薄膜（高達100 µm）。pd-100st具有時尚、緊湊的設計，只需要小的潔凈室空間。
更新時間:2025-09-09
化合物半導體沉積系統aix 2800g4-tm （ic2）“基于 gaas/inp 的光電子學和射頻應用的 hvm 佳反應器”
更新時間:2025-09-09
mocvd系統主要由真空室反應系統、氣體（載氣與氣相有機源）輸運控制系統、有機源蒸發輸運控制系統、電源控制系統、尾氣處理及安全保護報警系統組成。
更新時間:2025-09-09
產品概述：系統主要由真空反應室、上蓋組件、熱絲架、基片加熱臺、工作氣路、抽氣系統、安裝機臺、真空測量及電控系統等部分組成。設備用途：pecvd就是化學氣相沉積法，是一種化工技術，該技術主要
更新時間:2025-09-09
系統主要由3個真空沉積室（分別沉積p、i、n結）、1個進樣室、1個中央傳輸室、平板式電、基片加熱臺、工作氣路、傳送機械手、抽氣系統、安裝機臺、射頻電源、甚高頻電源、尾氣處理裝置、真空測量及電控系統等部分組成。
更新時間:2025-09-09
系統主要由真空反應室、上蓋組件、噴淋頭裝置、熱絲架、基片加熱臺、工作氣路、抽氣系統、安裝機臺、真空測量及電控系統等部分組成。本系統具有pecvd功能和熱絲cvd功能。
更新時間:2025-09-09
用于 5g、光子學和 cmos 的 propel 300mm gan mocvd 系統全自動單晶圓簇系統可在 300 毫米基板上生產 5g 射頻、光子學和高 cmos 器件。
更新時間:2025-09-09
pd-220nl 是一種負載鎖定等離子體增強化學氣相沉積 (pecvd) 系統，能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。該系統以非常緊湊的占地面積提供了pecvd的所有標準功能。可在直徑220毫米的區域內沉積具有優異厚度均勻性和應力控制的薄膜，并具有優異的穩定性和可重復性。用戶友好的觸摸屏界面，用于參數控制和配方存儲。該系統是研發用薄膜沉積以及試生產的理想選擇。
更新時間:2025-09-09
pd-3800l 化學氣相沉積系統是一種能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）的鎖載等離子體增強化學氣相沉積（pecvd）系統。該系統由于采用了大型反應室，并通過載盤裝載多片晶圓進行批量處理，因此產量較高。在直徑360mm的區域內可以沉積出具有優異的厚度均勻性和應力控制的薄膜，具有優異的穩定性和可重復性。用戶友好的觸摸屏界面用于參數控制和配方存儲。
更新時間:2025-09-09
pd-2201lc 是一種盒式裝載等離子體增強化學氣相沉積 (pecvd) 設備，能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。該系統在節省空間的提下提供了pecvd的所有標準功能。可在直徑220毫米的區域內沉積具有優異厚度均勻性和應力控制的薄膜，并具有優異的穩定性和可重復性。
更新時間:2025-09-09
本裝置是為了在汽車用head lamp部分提高al的附著性,用plasma,al sputter,cvd法實施sio2 top coating的設備,是縮短生產時間,工序和佳的matching設備.
更新時間:2025-09-09
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