探針臺(tái)產(chǎn)品及廠家
主要技術(shù)指標(biāo)：※ 溫度范圍：室溫—350℃（硅片上邊溫度）※ 控溫精度：±1℃※ 溫度分辨率：0.1℃※ 樣品尺寸：8英寸（需要有固定夾具，還有10mmx10mm,20mmx20mm樣品也需要考慮單獨(dú)固定）
更新時(shí)間:2025-09-20
可以進(jìn)行真空環(huán)境中的高低溫測(cè)試（10k~325k）。磁場(chǎng)強(qiáng)度在x軸上為0.75t，在y軸上為0.75 t，在z軸上為0.4t。
更新時(shí)間:2025-09-20
1、真空腔體約直徑260mm，2、帶有4英寸高透射觀察窗，材質(zhì)熔融石英3、樣品載臺(tái)直徑：50mm 樣品載臺(tái)平整度<5微米
更新時(shí)間:2025-09-20
可完成集成電路的電壓、電流、電阻以及iv曲線(xiàn)等參數(shù)檢測(cè)，用于低溫環(huán)境下的芯片、晶圓和器件的非破壞性電學(xué)測(cè)試。
更新時(shí)間:2025-09-20
高低溫探針臺(tái)t8-ly100能夠?yàn)榘雽?dǎo)體芯片的電學(xué)參數(shù)測(cè)試提供一個(gè)80k-420k高低溫測(cè)試環(huán)境，
更新時(shí)間:2025-09-20
半導(dǎo)體材料測(cè)量探針臺(tái)高低溫真空磁場(chǎng)環(huán)境高低溫真空環(huán)境下的芯片測(cè)試，材料測(cè)試，霍爾測(cè)試，電磁輸運(yùn)特性等。
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實(shí)驗(yàn)測(cè)量設(shè)備磁場(chǎng)探針臺(tái)芯片測(cè)試半導(dǎo)體儀器用于高低溫真空環(huán)境下的芯片測(cè)試，材料測(cè)試，霍爾測(cè)試，電磁輸運(yùn)特性等。
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高低溫真空探針臺(tái)測(cè)試系統(tǒng)鍍金無(wú)氧銅樣品臺(tái)可升加載磁場(chǎng)，低溫防輻射屏設(shè)計(jì)。
更新時(shí)間:2025-09-20
多維磁場(chǎng)探針臺(tái)，采用無(wú)磁材料制成，采用亥姆霍茲線(xiàn)圈正交放置，產(chǎn)生空間多維磁場(chǎng)。
更新時(shí)間:2025-09-20
高低溫真空磁場(chǎng)探針臺(tái)半導(dǎo)體測(cè)試實(shí)驗(yàn)臺(tái)應(yīng)用范圍：磁特性測(cè)試、微波特性測(cè)試、直流、rf特性測(cè)試，微電子機(jī)械系統(tǒng)，超導(dǎo)電性測(cè)試，納米電路的光電屬性，量子點(diǎn)和線(xiàn)，高低溫真空環(huán)境下的芯片測(cè)試，材料測(cè)試，霍爾測(cè)試，電磁輸運(yùn)特性等。
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磁場(chǎng)探針臺(tái)產(chǎn)生多維磁場(chǎng)半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備三維探針臺(tái)和錦正茂自主研發(fā)的高精度雙性電源相匹配，通過(guò)真正的雙性電源輸出，實(shí)現(xiàn)了空間任意方向上的矢量場(chǎng)合成。
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氣氛型高溫探針臺(tái)真空環(huán)境材料光學(xué)電學(xué)測(cè)試控溫精度：±0.1k；真空度：10e-3pa；
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廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體工業(yè)、mems 、超導(dǎo)、電子學(xué)、鐵電子學(xué)、物理學(xué)、材料學(xué)和生物醫(yī)學(xué)等域。
更新時(shí)間:2025-09-20
該類(lèi)型的探針臺(tái)主要依據(jù)客戶(hù)的使用情況進(jìn)行設(shè)計(jì)優(yōu)化。
更新時(shí)間:2025-09-20
定制探針臺(tái)高低溫真空磁場(chǎng)高精度實(shí)驗(yàn)臺(tái)用于高低溫真空環(huán)境下的芯片測(cè)試，材料測(cè)試，霍爾測(cè)試，電磁輸運(yùn)特性等。
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探針臺(tái)主要依據(jù)客戶(hù)的使用情況進(jìn)行設(shè)計(jì)優(yōu)化。
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氣氛型高溫探針臺(tái)測(cè)試系統(tǒng)光學(xué)電學(xué)儀器此款探針臺(tái)可在真空環(huán)境下對(duì)樣品進(jìn)行光學(xué)，電學(xué)測(cè)試。
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多維磁場(chǎng)探針臺(tái)測(cè)試系統(tǒng)無(wú)磁材質(zhì)半導(dǎo)體測(cè)試所選材料均為無(wú)磁材質(zhì)，磁場(chǎng)均勻性：中心區(qū)50毫米球體內(nèi)1％
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三維磁場(chǎng)探針臺(tái)測(cè)試系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)室測(cè)試設(shè)備通過(guò)真正的雙性電源輸出，實(shí)現(xiàn)了空間任意方向上的矢量場(chǎng)合成。
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定制實(shí)驗(yàn)室儀器高低溫真空探針臺(tái)測(cè)試系統(tǒng)樣品臺(tái)采用＊純度無(wú)氧銅制作，溫度均勻性更好。
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快速實(shí)現(xiàn)室溫-200℃環(huán)境的控溫，可在真空環(huán)境下對(duì)樣品進(jìn)行光學(xué)，電學(xué)測(cè)試。
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變溫教學(xué)霍爾測(cè)試系統(tǒng) 磁場(chǎng)大于3900高斯 本儀器用于霍爾效應(yīng)及其應(yīng)用、載流子類(lèi)型、載流子類(lèi)型轉(zhuǎn)變的演示和學(xué)生實(shí)驗(yàn)。
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實(shí)驗(yàn)室半導(dǎo)體材料測(cè)量?jī)x器定制＊精度實(shí)驗(yàn)臺(tái)該探針臺(tái)和我司自主研發(fā)的＊精度雙性恒流電源搭配使用，可以提高磁場(chǎng)的＊穩(wěn)定性。
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錦正茂三維磁場(chǎng)探針臺(tái) 廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體工業(yè)、mems 、超導(dǎo)、電子學(xué)、鐵電子學(xué)、物理學(xué)、材料學(xué)和生物醫(yī)學(xué)等域。
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錦正茂高低溫真空探針臺(tái)應(yīng)用于高低溫真空環(huán)境下的芯片測(cè)試，材料測(cè)試，霍爾測(cè)試，電磁輸運(yùn)特性等。
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應(yīng)用于高低溫真空環(huán)境下的芯片測(cè)試，材料測(cè)試，霍爾測(cè)試，電磁輸運(yùn)特性等。
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錦正茂高低溫真空探針臺(tái)應(yīng)用于高低溫真空環(huán)境下的芯片測(cè)試，材料測(cè)試，霍爾測(cè)試，電磁輸運(yùn)特性等。
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快速實(shí)現(xiàn)室溫-200℃環(huán)境的控溫，可在真空環(huán)境下對(duì)樣品進(jìn)行光學(xué)，電學(xué)測(cè)試。
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三維探針臺(tái)和錦正茂自主研發(fā)的高精度雙性電源相匹配，通過(guò)真正的雙性電源輸出，實(shí)現(xiàn)了空間任意方向上的矢量場(chǎng)合成。
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可在真空環(huán)境下對(duì)樣品進(jìn)行光學(xué)，電學(xué)測(cè)試，測(cè)試中也可實(shí)現(xiàn)惰性氣體的快速充放。
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應(yīng)用于高低溫真空環(huán)境下的芯片測(cè)試，材料測(cè)試，霍爾測(cè)試，電磁輸運(yùn)特性等。
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該探針臺(tái)和我司自主研發(fā)的＊精度雙性恒流電源搭配使用，可以提高磁場(chǎng)的＊穩(wěn)定性。
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半導(dǎo)體材料測(cè)量＊精度實(shí)驗(yàn)臺(tái)高低溫真空環(huán)境探針臺(tái) 錦正茂高低溫真空探針臺(tái)可進(jìn)行真空環(huán)境下的高低溫測(cè)試（4.2k~500k）。
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半導(dǎo)體材料測(cè)量高精度實(shí)驗(yàn)臺(tái)高低溫真空磁場(chǎng)環(huán)境探針臺(tái) 廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體工業(yè)、mems 、超導(dǎo)、電子學(xué)、鐵電子學(xué)、物理學(xué)、材料學(xué)和生物醫(yī)學(xué)等域。
更新時(shí)間:2025-09-20
高低溫真空磁場(chǎng)探針臺(tái)是具備提供高低溫、真空以及磁場(chǎng)環(huán)境的高精度實(shí)驗(yàn)臺(tái)，它的諸多設(shè)計(jì)都是用的。因此，高低溫磁場(chǎng)探針臺(tái)的配置主要是根據(jù)用戶(hù)的需求進(jìn)行選配及設(shè)計(jì)。例如，要求的磁場(chǎng)值，均勻區(qū)大小、均勻度大小、樣品臺(tái)的尺寸等，均于磁力線(xiàn)在一定區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生的磁通密度相關(guān)聯(lián)；
更新時(shí)間:2025-09-20
可進(jìn)行真空環(huán)境下的高低溫測(cè)試（4.2k~500k），可升加載磁場(chǎng)，低溫防輻射屏設(shè)計(jì)，樣品臺(tái)采用高純度無(wú)氧銅制作，溫度均勻性更好，溫度傳感器采用有著良好穩(wěn)定性和重復(fù)性的pt100或者標(biāo)定過(guò)的硅二管作為測(cè)溫裝置，支持光纖光譜特性測(cè)試，兼容高倍率金相顯微鏡，可微調(diào)移動(dòng)，器件的高頻特性(支持高67ghz頻率)，探針熱沉設(shè)計(jì)，ld/led/pd的光強(qiáng)/波長(zhǎng)測(cè)試，自動(dòng)流量控制，材料/器件的iv/cv特性
更新時(shí)間:2025-09-20
北京錦正茂科技有限公司提供的一維 、二維 、三維磁場(chǎng)探針臺(tái)，采用無(wú)磁材料制成，一維 、二維 、三維三對(duì)亥姆霍茲線(xiàn)圈正交放置，產(chǎn)生空間一維 、二維 、三維磁場(chǎng)。線(xiàn)圈可采用風(fēng)冷（磁場(chǎng)較小）也可采用水冷結(jié)構(gòu)（磁場(chǎng)較大），并且配備有線(xiàn)圈過(guò)熱保護(hù)裝置。和錦正茂生產(chǎn)的高精度雙性直流電源配合使用可以長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定工作。通過(guò)軟件或者電源控制面板上按鍵控制每一維上的輸出電流，可以產(chǎn)生空間任意方向的矢量磁場(chǎng)。
更新時(shí)間:2025-09-20
材料實(shí)驗(yàn)室半導(dǎo)體測(cè)量高低溫真空磁場(chǎng)環(huán)境探針臺(tái)錦正茂高低溫真空探針臺(tái)高低溫真空環(huán)境下的芯片測(cè)試，材料測(cè)試，霍爾測(cè)試，電磁輸運(yùn)特性等。
更新時(shí)間:2025-09-20
jzm-d30室溫探針臺(tái)材料實(shí)驗(yàn)室半導(dǎo)體測(cè)量設(shè)備儀器錦正茂jzm-d30室溫探針臺(tái)的諸多設(shè)計(jì)都是﹡用的，探針臺(tái)的配置主要是根據(jù)用戶(hù)的需求進(jìn)行選配及設(shè)計(jì)。
更新時(shí)間:2025-09-20
高低溫真空腔探針系統(tǒng)主要用于為被測(cè)芯片提供一個(gè)低溫或者高溫的變溫測(cè)量環(huán)境，以便測(cè)量分析溫度變化時(shí)芯片性能參數(shù)的變化。腔體內(nèi)被測(cè)芯片在真空環(huán)境中有效避免易受氧化半導(dǎo)體器件接觸空氣所帶來(lái)的測(cè)試結(jié)果誤差，支持定制15611171559。
更新時(shí)間:2025-09-19
小型桌面高低溫真空探針臺(tái)，滿(mǎn)足小樣品的測(cè)試，控溫更，抽真空速度更快，占地面積小，支持定制15611171559.
更新時(shí)間:2025-09-19
華測(cè)半導(dǎo)體封裝材料真空探針臺(tái)/可r-t、c-v、i-v、r-i，cp-d,ε測(cè)試，精密小巧按需定制集成化設(shè)計(jì)性能穩(wěn)定，測(cè)試類(lèi)型：r-t，c-v，i-v，r-i，cp-d,ε測(cè)試，搭配儀器：源表、高阻計(jì)、直流低電阻測(cè)試儀、阻抗分析儀、半導(dǎo)體參數(shù)分析儀。
更新時(shí)間:2025-09-16
華測(cè)真空探針臺(tái)/半導(dǎo)體封裝材料i-v測(cè)試系統(tǒng)，搭配儀器：源表、高阻計(jì)、直流低電阻測(cè)試儀、阻抗分析儀、半導(dǎo)體參數(shù)分析儀
更新時(shí)間:2025-09-16
雙面點(diǎn)針探針臺(tái)可用于晶圓和pcb板測(cè)試，用于需要正面和背面同時(shí)扎針，以實(shí)現(xiàn)各種光/電性能測(cè)試需求的測(cè)試設(shè)備。該定制探針臺(tái)具有優(yōu)良的機(jī)械系統(tǒng)，穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)，符合人體工程學(xué)，以及多項(xiàng)升功能。可廣泛應(yīng)用于集成電路、wafer ， led、lcd、太陽(yáng)能電池等行業(yè)的制造和研究域。
更新時(shí)間:2025-09-16
高精度piv測(cè)試簡(jiǎn)易探針臺(tái)由華測(cè)儀器生產(chǎn)，主要用于電學(xué)性能測(cè)試，該探針臺(tái)具有靈活性、低成本和高精度的特點(diǎn)，結(jié)構(gòu)緊湊、性?xún)r(jià)比高、穩(wěn)定性強(qiáng)、具備模塊化和可擴(kuò)展性，其主要應(yīng)用于半導(dǎo)體器件研發(fā)、光電子與顯示技術(shù)以及工業(yè)與工程應(yīng)用，對(duì)于測(cè)試實(shí)驗(yàn)中效率的提升、質(zhì)量控制與可靠性的驗(yàn)證、提供實(shí)驗(yàn)依據(jù)、優(yōu)化成本與節(jié)約資源具有重大意義。
更新時(shí)間:2025-09-16
晶圓測(cè)試高低溫真空探針臺(tái)是一種輔助執(zhí)行機(jī)構(gòu)，測(cè)試人員把需要量測(cè)的器件放到探針臺(tái)載物臺(tái)(chuck)上，在顯微鏡配合下，x-y移動(dòng)器件，找到需要探測(cè)的位置，接下來(lái)通過(guò)旋轉(zhuǎn)探針座上的x-y-z的三向旋鈕，控制前部探針(射頻或直流探針)，準(zhǔn)確扎到被測(cè)點(diǎn)，從而使其訊,號(hào)線(xiàn)與外部測(cè)試機(jī)導(dǎo)通，通過(guò)測(cè)試機(jī)可以得到所需要的電性能參數(shù)。
更新時(shí)間:2025-09-16
多級(jí)抽氣式高真空度真空探針臺(tái)是一種輔助執(zhí)行機(jī)構(gòu)，測(cè)試人員把需要量測(cè)的器件放到探針臺(tái)載物臺(tái)(chuck)上，在顯微鏡配合下，x-y移動(dòng)器件，找到需要探測(cè)的位置，接下來(lái)通過(guò)旋轉(zhuǎn)探針座上的x-y-z的三向旋鈕，控制前部探針(射頻或直流探針)，準(zhǔn)確扎到被測(cè)點(diǎn)，從而使其訊,號(hào)線(xiàn)與外部測(cè)試機(jī)導(dǎo)通，通過(guò)測(cè)試機(jī)可以得到所需要的電性能參數(shù)。
更新時(shí)間:2025-09-16
復(fù)合控溫寬溫域高低溫真空探針臺(tái)是一種輔助執(zhí)行機(jī)構(gòu)，測(cè)試人員把需要量測(cè)的器件放到探針臺(tái)載物臺(tái)(chuck)上，在顯微鏡配合下，x-y移動(dòng)器件，找到需要探測(cè)的位置，接下來(lái)通過(guò)旋轉(zhuǎn)探針座上的x-y-z的三向旋鈕，控制前部探針(射頻或直流探針)，準(zhǔn)確扎到被測(cè)點(diǎn)，從而使其訊,號(hào)線(xiàn)與外部測(cè)試機(jī)導(dǎo)通，通過(guò)測(cè)試機(jī)可以得到所需要的電性能參數(shù)。
更新時(shí)間:2025-09-16
出口設(shè)備專(zhuān)用變壓器廠家，三相480v轉(zhuǎn)380v變壓器，全銅線(xiàn)變壓器 周生150 24128305
更新時(shí)間:2025-09-15
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